发明专利
2016106790845
一种增强光催化效应的阵列化活性薄膜的制备方法
发明专利
化学化工
2016-08-17
2036-08-16
已下证
本发明公开了一种增强光催化效应的阵列化活性薄膜的制备方法,将电阻率小于3.0Ω·cm的P型单晶硅片置入高压釜内,然后向高压釜内填充腐蚀液,腐蚀后制得硅柱阵列;将硅柱阵列放入二茂铁的乙醇溶液中浸润,然后置于卧式管式炉内,通过预浸润催化剂原位生长碳纳米管10min,氮气保护下降至室温,得到碳纳米管/硅柱阵列;采用直流反应磁控溅射法在碳纳米管/硅柱阵列上制备出TiO2薄膜。本发明合理利用了衬底的微/纳阵列的模板作用,所制得的二氧化钛薄膜随基底表面微结构的起伏而起伏,结合牢固,同时基底是由阵列化碳纳米
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买卖双方达成一致后
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交易完成
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根据专利法的规定,自申请之日起计算,发明专利的期限为20年。
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