发明专利
2014107473608
SOI衬底双向击穿保护双栅绝缘隧穿增强晶体管及制造方法
发明专利
化学化工
2014-12-08
2034-12-07
已下证
本发明涉及一种SOI衬底双向击穿保护双栅绝缘隧穿增强晶体管,对比同尺寸MOSFETs或隧穿场效应晶体管,通过在集电结和发射结中引入低杂质浓度的击穿保护区以显著提升器件在深纳米尺度下的耐压的正向及反向耐压能力;在基区两侧同时具有绝缘隧穿结构,在栅电极的控制作用下使绝缘隧穿效应同时发生在基区两侧,提升了隧穿电流的产生率;利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现优秀的开关特性;通过发射极将隧穿信号增强实现了优秀的正向导通特性;另外本发明还提出了一种SOI衬底双向击穿保护双栅绝缘隧穿增强晶
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根据专利法的规定,自申请之日起计算,发明专利的期限为20年。
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