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发明专利
2017103476935
基于横向结构的LED及其制备方法
发明专利
环保和资源
2017-05-17
2037-05-16
授权未下证
本发明涉及一种基于横向结构LED及其制备方法。其中,所述制备方法包括:选取SOI衬底;采用CVD工艺依次在所述SOI衬底生长Ge籽晶层、Ge主体层和氧化层;采用LRC工艺晶化所述Ge籽晶层和所述Ge主体层形成晶化后的Ge外延层;采用干法刻蚀工艺刻蚀所述氧化层;在晶化后的所述Ge外延层表面生长GeSn层;制备N型Ge区域和P型Ge区域;制作金属接触电极以完成所述横向结构LED的制备;本发明采用激光再晶化工艺,在SOI衬底上制备位错密度低Ge外延层,并制备高质量直接带隙GeSn层,然后实现一种p+?
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根据专利法的规定,自申请之日起计算,发明专利的期限为20年。
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