发明专利
201510281381X
一种基于金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合结构光控薄膜晶
发明专利
仪器仪表
2015-05-28
2035-05-27
已下证
本发明涉及一种基于金属/有机壳核量子点?半导体量子点复合结构光控薄膜晶体管的制备方法,利用旋涂成膜工艺技术,在硅/二氧化硅衬底上,制备出金属/有机壳核量子点?半导体量子点复合膜层,再通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术金属/有机壳核量子点?半导体量子点复合导电沟道层分别形成Cr/Au复合金属电极,引出相应的源极和漏极,再通过旋涂有机物实现对量子点沟道的有效封装和保护,从而制备出新型的基于金属/有机壳核量子点?半导体量子点复合结构光控薄膜晶体管。本发明制备方法新颖,制作成本低且工艺简单,同时可充分利用金属量子点等离子体激元对于光场增强调控作用、复合量子点膜层的量子尺寸效应,从而有效提高光控栅极晶体管的灵敏度。
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根据专利法的规定,自申请之日起计算,发明专利的期限为20年。
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