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发明专利
2018101445922
一种石墨烯电容及其制造方法
发明专利
新能源
2018-02-12
2038-02-11
授权未下证
本发明提供了一种基于硅上绝缘层(SOI)衬底的石墨烯电容及其制作方法,其结构包括:绝缘层、上层氧化硅层、下层氧化硅层、上层石墨烯、下层石墨烯、上层石墨烯金属接触层、下层石墨烯金属接触层、上层金属通孔电极、下层金属通孔电极、上层金属凸块、下层金属凸块、上开口和下开口;基于硅上绝缘层(SOI)衬底通过晶圆键合将石墨烯封闭在器件内部,提高器件的质量和可靠性;该结构减少石墨烯电容器的寄生电容,提高电容的Q值,使其可以应用在高频电路中。
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根据专利法的规定,自申请之日起计算,发明专利的期限为20年。
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