发明专利
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专利号
2009102389583
专利名称
一种表面织构的太阳电池用半导体基片及其制备方法
专利类型
发明专利
行业分类
新能源
申请日期
2009-12-30
有效期至
2029-12-29
专利状态
已下证
专利详情
本发明首先提供一种表面织构的太阳电池用半导体基片的制备方法：将未经过表面织构的硅半导体基片放在电解液中，以10~30mA/cm2的电流密度，在15~30℃下阳极氧化腐蚀50~90分钟；所述电解液包括氢氟酸、有机添加剂，物质的量比氢氟酸∶有机添加剂=1∶10~1∶1，所述有机添加剂为C1~C10的醇和/或酮。本发明进而提供一种用上述方法得到表面织构的太阳电池用半导体基片，其织构结构是不规则凹凸结构，其特征在于，所述不规则凹凸结构的凹部的最大深度与其最大直径之比的平均值为0.2~0.5。本发明提供的
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